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台积电今日不只发布了Nanosheet碳纳米片技能的开山之作N2 2nm工艺,还展现了FinFET鳍式晶体管的完结之作N3 3nm工艺,开展出了多达五种不同版别,也是历代工艺中最丰厚的。
最早也是最规范的3nm,本年下半年投入量产,估计下一年头能够看到产品上市。
它面向有超强出资才能、寻求新工艺的前期客户,比方苹果、AMD这种,可是使用规划较窄,只合适制作特定的产品。
比照N5,功耗可下降约25-30%,功能可提高10-15%,晶体管密度提高约70%。
Ehanced增强版,近期就会风险性试产,下一年年中规划量产,产品上市估计2023年末或2024年头。
它在N3的基础上提高功能、下降功耗、扩展使用规划,比照N5平等功能和密度下功耗下降34%、平等功耗和密度下功能提高18%,或许能够将晶体管密度提高60%——是的,它的密度反而低于N3。
值得一提的是,N3E工艺还能够依据客户需求定制栅极、鳍片数量,功能、功耗、面积目标也不一样,官方称之为“FinFlex”。
比方2个栅极1个鳍片,能够功能提高11%、功耗下降30%、面积缩小36%。
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2024-March-16
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