在线留言
|
专利权的搬运IPC(主分类):G02F 1/136改动事项:专利权人改动前权利人:三星电子株式会社改动后权利人:三星显现有限公司改动事项:地址改动前权利人:韩国京畿道改动后权利人:韩国京畿道挂号收效日:20130105授权本质检查的收效揭露
本发明供给一种液晶显现器,其包括具有栅极的栅极线、在掩盖栅极线的栅极绝缘层上构成的半导体层、具有在半导体上构成的源极并具有曲折部分和与栅极线直交部分的数据线、在栅极上别离与源极面临的漏极、掩盖显露的半导体层的钝化层、在钝化层上构成并与漏极电衔接,包括与数据线相邻的边际着数据线曲折的像素电极的薄膜晶体管阵列面板和与像素电极面临并包括在对应于数据线的部分具有开口部的一同电极的面临显现面板的液晶显现器。这时,像素分为两个部分,像素电极包括在两个副像素构成的榜首像素电极和第二像素电极。并且,薄膜晶体管阵列面板具有包括在数据线两边设置并与榜首及第二像素电极部分堆叠的存储电极的存储电极布线。
第二信号线,在所述榜首绝缘基片上构成、与所述榜首信号线绝缘穿插、且具有曲折部分和沿第二方向延伸的部分;
一同电极,在所述第二绝缘基片上构成并在对应于所述第二信号线的部分具有开口部,
其间所述第二信号线曲折部分和沿所述第二方向延伸的部分以所述像素长度为单位重复呈现。
2.依据权利要求1所述的液晶显现器,其特征在于,还包括与所述像素电极堆叠构成存储电容,在所述像素边际设置并邻接所述榜首信号线并排延伸的第三信号线所述的液晶显现器,其特征在于,所述第三信号线具有与所述第二信号线邻接并与所述曲折部分并排的存储电极。
4.依据权利要求3所述的液晶显现器,其特征在于,所述像素至少分为两部分的副像素。
5.依据权利要求4所述的液晶显现器,其特征在于,所述副像素分为坐落所述第二信号线两边,所述像素电极包括折叠并且别离坐落所述副像素的榜首及第二像素电极,所述薄膜晶体管包括别离与所述榜首及第二像素电极衔接的榜首及第二薄膜晶体管。
6.依据权利要求5所述的液晶显现器,其特征在于,所述第三信号线的所述存储电极别离在所述第二信号线两边设置,并与所述榜首及第二像素电极边际堆叠。
7.依据权利要求6所述的液晶显现器,其特征在于,所述存储电极与所述榜首及第二像素电极堆叠,所述榜首及第二像素电极鸿沟坐落所述存储电极上部。
8.依据权利要求7所述的液晶显现器,其特征在于,所述开口部鸿沟线坐落所述数据线鸿沟线和所述存储电极鸿沟线所述的液晶显现器,其特征在于,所述榜首像素电极和所述第二像素电极互相衔接,其衔接部与所述第二信号线所述的液晶显现器,其特征在于,所述第二信号线曲折部分包括两个以上直线部分,基本上所述两个以上直线部分关于所述榜首信号线所述的液晶显现器,其特征在于,与所述像素电极衔接的所述薄膜晶体管一端子延长到所述第三信号线所述的液晶显现器,其特征在于,还包括具有沿着所述像素形状曲折的部分,并且由构成在所述一同电极上部的杰出部或所述像素电极或构成在所述一同电极的折叠部组成的区域切割件。
本发明触及一种液晶显现器,更具体地,触及一种为了得到广视角将像素分为多个区域的笔直取向方式液晶显现器。
一般,液晶显现器(LCD)是在构成基准电极和滤色器等的上部显现面板和构成薄膜晶体管和像素电极等的下部显现面板之间注入液晶资料,向像素电极和基准电极施加互相不同电位,然后构成电场并改动液晶分子的摆放,经过这些调整光透射率,以显现图画的设备。
在未施加电场的状态下,使液晶分子的长轴对上下面板笔直摆放的笔直取向方式液晶显现器是对比度大,且易于体现广视角,所以引人重视。在笔直取向方式液晶显现器中体现广视角的办法有,在电极上构成折叠图画的办法和构成突起部的办法等。这两种办法是构成散射场,使液晶歪斜方向沿四个方向均匀涣散,以保证广视角的办法。其间在电极上构成折叠图画的图画笔直调整(PVA)方式被以为能够代替面内切换(IPS)方式的广视角技能。
与歪曲向列(TN)方式液晶显现器比较,PVA方式液晶显现器具有快的应对时刻,这是由于液晶分子的运动只包括无歪曲的弹性打开或曲折。
一同,液晶显现器还包括用于将电压施于场产生电极的多个开关元件以及诸如与该开关元件衔接的栅极线和数据线这样的多个信号线。信号线与其它信号线和一同电极产生电容耦合,其作为施加于信号线上的负载以产生信号推迟以及本身电阻。特别地,在数据线和一同电极之间的耦合驱动设置于其间的液晶分子以引起数据线附近的光走漏,然后使光走漏恶化。为了避免光走漏,黑阵能够较宽以下降纵横比。
本发明的另一意图是削减由数据线和基准电极之间耦合的静电容量,削减数据线周边光走漏。
为了完结本发明的意图,在依据本发明施行例的液晶显现器中在对应于数据线的基准电极构成开口部。
更具体地说,依据本发明施行例的液晶显现器中,在榜首绝缘基片上构成沿榜首方向延伸的榜首信号线,与榜首信号线绝缘穿插,并具有曲折部分和向第二方向延伸部分的第二信号线。并且,榜首信号线和第二信号线穿插约束的各像素上构成像素电极,并构成与榜首信号线、第二信号线及像素电极衔接的薄膜晶体管。在与榜首绝缘基片面临的第二绝缘基片上部全面上构成对应于第二信号线的部分具有开口部的一同电极。这时,第二信号线的曲折部分和沿第二方向延伸部分以像素长度为单位重复呈现。
优选地,这种液晶显现器还包括与像素电极堆叠构成存储电容,并设置在像素边际,邻接榜首信号线并排延伸的第三信号线,优选地,第三信号线具有与邻接第二信号线曲折的部分红并排的存储电极。
像素至少分为两个部分副像素,副像素别离坐落第二信号线的两边,像素电极折叠包括别离坐落副像素的榜首及第二像素电极,薄膜晶体管包括别离与榜首及第二像素电极衔接的榜首及第二薄膜晶体管。优选地,第三信号线的存储电极别离设置在第二信号线的两边,与榜首及第二像素的边际堆叠,优选地,存储电极与榜首及第二像素电极的一部分堆叠,且榜首及第二像素电极的鸿沟坐落存储电极的上部。这时,优选地,开口部的鸿沟坐落数据线的鸿沟线和存储电极的鸿沟线之间。榜首像素电极与第二像素电极彼此衔接,衔接部与第二信号线的曲折部分穿插。
优选地,第二线号线曲折部分包括两个以上的直线部分,两个以上的直线部分实践关于榜首信号线度。
与像素电极衔接的薄膜晶体管的一端子能够延伸到第三信号线的上部。这种液晶显现器具有沿着像素形状曲折的部分,还包括由构成在一同电极上部的突起部或像素电极或在一同电极构成的折叠部组成的区域切割件。
图1是依据本发明榜首施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图;
图3是依据本发明榜首施行例的用于液晶显现器的一同电极面板(对向显现面板)结构布局图;图4是如图3所示的沿着线IV-IV′地一同电极面板截面图;图5是包括图1及图2所示的薄膜晶体管阵列面板和图3及图4所示的一同电极面板的依据本发明榜首施行例的液晶显现器结构布局图;
图7是依据本发明第二施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图;
图8是如图7所示的沿着线VIII-VIII′的薄膜晶体管阵列面板截面图;
图11是依据本发明第三施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图;
图12是依据本发明第三施行例的用于液晶显现器的一同电极面板(commonelectrodepanel)结构布局图;
图13是包括沿着线XIII-XIII′的图11所示的薄膜晶体管阵列面板及图12所示的一同电极面板的液晶显现器截面图;以及
为了使本范畴技能人员能够施行本发明,现参照附图具体阐明本发明的优选施行例。可是,本发明可体现为不同方式,它不约束于在此阐明的施行例。在图中为了清晰体现各层及区域,扩展其厚度来表明,在全篇阐明书中对相似部分附上相同图的符号,当说到层、膜、区域、板等部分在其他部分“之上”时,它是指“直接”坐落其他部分之上,也包括其间夹有其他部分之状况,反之说某个部分“直接”坐落其他部分之上时,指其间并无其他部分。
图1是依据本发明榜首施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图,图2是如图1所示的沿着线II-II′薄膜晶体管阵列面板截面图,图3是依据本发明榜首施行例的用于液晶显现器的一同电极面板结构局图,图4是如图3所示的沿着线IV-IV′的一同电极面板截面图,图5是包括图1及图2所示的薄膜晶体管阵列面板和图3及图4所示的一同电极面板的依据本发明榜首施行例的液晶显现器结构布局图,而图6是如图5所示的沿着线VI-VI′的液晶显现器截面图。
依据本发明榜首施行例的液晶显现器包括薄膜晶体管阵列面板100(参照图5及图6)、面临薄膜晶体管阵列面板100的一同电极面板200(参照图5及图6)、以及置于薄膜晶体管阵列面板100和一同电极面板200之间的液晶层(未示出)。
该两个面板之间注入并包括在其间的液晶分子的长轴关于这些显现面板笔直取向的液晶层。
首要,参照图1和图2更具体地阐明依据本发明榜首施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板。
在绝缘基片110上构成传送栅极信号的多条栅极线首要沿横向延伸,各栅极线a、124b。栅极线的一结尾为了与外部电路衔接能够扩长宽度,在绝缘基片110的上部直接规划栅极驱动电路的实例中,栅极线的结尾部分与栅极驱动电路衔接。
并且,在绝缘基片110上构成坐落像素区域上部及下部的两层存储电极线b和榜首及第二存储电极134、135。存储电极线b沿横向延伸,榜首及第二存储电极134、135衔接两层存储电极线b,具有沿着像素形状曲折的形状,榜首存储电极134设置在今后构成的数据线的两边,其他第二存储电极135设置在相邻的像素的副像素Pa、Pb之间。
栅极线包括物理性质不同的两个膜,并能够由单一膜组成。包括两个导电膜时,优选地,一个膜为了削减栅极信号推迟或电压下降由低电阻率金属组成,例如,铝、铝合金等铝系列金属组成,剩下另一个膜由其它资料组成,特别是与氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)物理、化学、电触摸特性杰出的资料组成,例如,钼(Mo)、钼合金(参照钼-钨合金)、铬(Cr)等。
栅极线的旁边面成歪斜,其歪斜角对基片110的外表约成30-80°,其上部构成由氮化硅等组成的栅极绝缘层140。
在榜首及第二栅极124a、124b的栅极绝缘层上构成由氢化非晶硅(非晶硅简称a-Si)等组成的多个半导体151。半导体层151包括构成薄膜晶体管通道的通道部,通道部包括坐落榜首栅极124a上部的榜首通道部154a和坐落第二栅极124b上部的第二通道部154b。这时,半导体151沿着后序构成的数据线以线性延伸,在数据线和栅极线及存储电极线b穿插的方位具有较宽的宽度,以比它们数据线b穿插的部分较宽的面积扩张。
在半导体层151上构成由硅化物或重掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅等资料制成的欧姆触摸部件161。欧姆触摸层由坐落榜首及第二栅极124a、124b上部中心的源极部欧姆触摸部件163和以榜首及第二栅极124a、124b为中心别离与源极部欧姆触摸部件163面临的榜首及第二漏极部欧姆触摸部件165a、165b组成。
在欧姆触摸层163、165a、165b及栅极绝缘层140上构成数据线b。数据线较长长度延伸并与栅极线穿插,与数据线衔接,具有延伸至源极部欧姆触摸部件163上部的源极173。榜首及第二漏极175a、175b与源极173别离并关于榜首及第二栅极124a、124b坐落源极173对面的榜首及第二漏极部欧姆触摸部件165a、165b上部。数据线为了与外部电路衔接扩张了其宽度。
在这里,数据线以像素长度为周期具有重复曲折部分和纵向延伸部分。这时,数据线的曲折部分由两个直线部分组成,这两个直线°(degree),另一部分与栅极线°。数据线衔接,该部分与栅极线穿插。
这时,数据线的曲折部分和纵向延伸部分长度比为1∶1至9∶1(即,数据线中曲折部分所占比率为从50%至90%)。因而,栅极线和数据线穿插构成的像素具有拐弯的条状,以数据线为中心分为两个副像素Pa、Pb。榜首及第二存储电极134、135别离设置在两个副像素Pa、Pb的边际,并与数据线的曲折部分并排曲折。并且,榜首及第二漏极175a、175b与榜首及第二像素电极191a、192b衔接部分以矩形形状扩张,与存储电极131a堆叠。这时,榜首及第二漏极175a、175b将存储电极131a与栅极绝缘层140夹在中心堆叠,然后构成效果较好的存储电容,但为了更充沛地保证存储电容,存储电极线a能够在与榜首及第二漏极175a、175b堆叠的部分以较宽的宽度扩张,并沿着曲折像素的形状能够具有并排四边形或菱形等多种形状的鸿沟线。
在数据线上构成由等离子增强化学汽相堆积(PECVD)组成的a-Si:C:O、a-Si:O:F等低电容率绝缘资料,或无机物的氮化硅等组成的钝化层180。
在钝化层180构成显露榜首及第二漏极175a、175b的触摸孔185a、185b和显露扩张数据线能够一同具有显露栅极线结尾部分(未示出)的触摸孔和栅极绝缘层140,在该施行例中,具有相似栅极线面成30-80°的倾角,或许具有阶梯形剖面(profile)。
还有,触摸孔185a、185b在平面上具有角或圆形等多种形状,其面积不超越2mm×60μm,优选地,在0.5mm×15μm以上。在钝化层180上经过触摸孔185a、185b别离与榜首及第二漏极175a、175b衔接,在各自的副像素Pa、Pb中别离构成以沿像素形状将榜首及第二像素电极190a、190b的边际与榜首及第二存储电极134、135堆叠,榜首及第二像素电极190a、190b的鸿沟线的边际坐落榜首及第二存储电极134、135上部。榜首及第二像素电极190a、190b经过像素衔接部192彼此衔接,像素的中心具有纵向延伸的开口部191a、191b。这时,榜首及第二像素电极191a、191b可与数据线穿插的彼此不同的导电膜衔接。此外,在钝化层180上构成经过触摸孔182别离与数据线衔接的数据触摸辅佐部件82。当然,在栅极线的结尾部分能够追设栅极触摸辅佐部件。在这里,像素电极190a、190b及触摸辅佐部件82由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)组成。
在玻璃等通明绝缘资料组成的上部基片210的下面构成避免光走漏的黑阵220,各像素顺次构成红、绿、蓝色滤色器230,在滤色器230上构成氮化硅或有机资料组成的涂层250。在涂层250上构成由ITO或IZO等通明导电资料组成并具有折叠部271a、271b及开口部277的一同电极270。
优选地,折叠部271a、271b作为区域约束件效果,其宽度在9-12μm之间,优选地,若作为区域约束件,代替折叠部271a、271b构成有机物突起部时,其宽度在5-10μm之间。
还有,开口部277设置在对应数据线的内侧,为了在横向上保证施加在一同电极270上的一同电压传送的途径,使开口部277不延伸到与栅极线穿插的数据线上部,而将一同电极进行全体衔接。
在这里,黑阵220包括对应数据线曲折部分的线性部分和对应数据线纵向延伸部分及薄膜晶体管部分的三角形部分。
别的,折叠部用区域约束件或许构成在像素电极190a、190b上,突起部也能够设置在像素电极190a、190b的上部。
红、绿、蓝滤色器230依据黑阵220区分的像素的列较长纵向延伸,并依据像素的形状周期性地曲折。
折叠部271a、271b也可曲折构成且将副像素左右等分。并且,折叠部271a、271b的两头再曲折一次,其一端与栅极线a、272b,该分支272a、272b具有将像素中心左右两分的副像素上下两分的形状。
依据这种本发明施行例的薄膜晶体管阵列面板100和一同电极面板200上的彼此面临的面上别离构成取向膜11、12。这时,各个取向膜11、12或许是将液晶分子对面板面笔直取向的笔直取向膜,也或许不是。
结合如上结构的薄膜晶体管阵列面板100和一同电极面板200,其间注入液晶构成液晶层,就构成如图5及图6所示的依据本发明榜首施行例的液晶显现器阵列面板。
包括在液晶层的液晶分子在像素电极190a、190b和一同电极270之间未施加电场的状态下其长轴方向对下部基片110和上部基片210笔直,其电容率具有各向异性。
这时,如图5及图6所示,下部基片110和上部基片210其榜首及第二像素电极190a、190b与滤色器230正好对应并堆叠,一同电极270的开口部277与数据线正好堆叠。这时,榜首及第二像素电极190a、190b的鸿沟线坐落榜首及第二存储电极134、135的上部,优选地,开口部277的鸿沟线坐落数据线、135。
在这种液晶显现器中,像素的液晶分子由折叠部271a、271b的散射场切割取向成多个区域。这时,副像素由杰出部240左右两分,以副像素被折部分为中心其上下的液晶取向不同,因而切割为四品种区域。在附图中副像素以一个被折部分为中心上下设置,但被折部分能够至少设置两个以上,对此经过其它施行例阐明。
在这种液晶显现设备的结构中,滤色器230设置在一同电极面板200上,但也可设置在薄膜晶体管阵列面板100上,这种状况下能够构成在栅极绝缘层140或钝化层180的下部,对此经过其它施行例具体阐明。
液晶显现器是在这种阵列面板两边设置偏光板、背光源、补偿板等元件组成。这时,偏光板别离设置在阵列面板两边,其透视轴对栅极线两个中的一个并排设置而与另一个笔直设置。
用以上结构构成液晶显现器,对液晶施加电场时各区域内液晶向区域长边笔直方向歪斜。但该方向是对数据线笔直的方向,由于依据数据线夹在中心附近的两个像素电极191a、191b之间构成的侧方向电场与液晶歪斜方向相一致,因而侧方向电场能够辅佐各区域的液晶取向。
在这种液晶显现器中,对坐落数据线两边的像素电极上一般运用施加极性相反电压的点回转驱动、列回转驱动、两点回转驱动等回转驱动办法,因而基本上总产生侧方向电场,其方向有助于区域液晶取向。
还有,将偏光板透射轴对栅极线笔直或并排的方向设置,然后既能够廉价制作偏光板,又因在一切的区域中液晶取向与偏光板透射轴成45°,因而能够得到最高亮度。
还有,依据本发明榜首施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板中,尽管各副像素电极190a、190b与存储电极134、135堆叠,但没有与数据线b与数据线之间简直不产生寄生电容,并在制作工序中若呈现过错整列,其副像素电极190a、190b以数据线为中心设置在两边,构成补偿寄生电容的结构。因而,像素电极接纳的像素电压简直不产生歪曲,在显现图画时可避免构成斑驳,因景之间鸿沟部分不产生图画亮度差异,能够避免产生针脚不良现象。
还有,这种依据本发明施行例的薄膜晶体管阵列面板中,在像素电极190a、190b与榜首及第二存储电极134、135堆叠的部分构成存储电容,能够充沛保证存储电容。
还有,在如上结构的液晶显现器中,对液晶施加电场时,各区域内的液晶分子中接近薄膜晶体管阵列面板并坐落副像素Pa、Pb边际的液晶分子由榜首及第二像素电极190a、190b的鸿沟构成的散射场切割取向。这时,在榜首像素电极190a和第二像素电极190b边际显露一部分榜首及第二存储电极134、135,榜首及第二存储电极134、135接纳施加在一同电极270上的一同电压,榜首及第二存储电极134、135起强化榜首及第二像素电极190a、190b鸿沟构成的散射场的效果。可稠密设置榜首像素电极190a与第二像素电极190b的距离,经过其能够将像素的纵横比最大化。
还有,如这种本发明施行例的结构,在与数据线中设置开口部,能够将传送到数据线的数据信号推迟最小化,使显现器的特性得到进步。还有,削减数据线间耦合静电容量,能够最小化数据线周边产生的光走漏现象。
首要,将Cr或Mo合金等组成的金属层或电阻较小的Al或Ag合金等组成的金属层用溅射法接连堆积,运用掩膜的榜首光学蚀刻工序干或湿蚀刻,构成栅极线。
然后,将栅极绝缘层140、氢化非晶硅层及磷P等重掺杂n型杂质非晶硅层,运用化学汽相堆积法接连堆积别离1,500-5,000、500-2,000、300-600的厚度,运用掩膜的第二光学蚀刻工序对掺杂的非晶硅层和非晶硅层制作布线图画,构成衔接通道部的欧姆触摸层和非晶硅半导体层154。
接着,用溅射等办法将Cr或Mo合金组成的导电层或电阻小的Al或Ag合金等组成的导电层堆积,运用掩膜的第三光学蚀刻工序制作布线图画,构成数据线b。
接着,由数据线b蚀刻未遮挡的欧姆触摸层,构成在源极173与榜首及第二漏极175a、175b之间显露半导体层151并向两边别离的欧姆触摸层161、165a、165b。
接着,构成钝化层180,运用掩膜的第四光学蚀刻工序将钝化层180与栅极绝缘层140一同制作布线所示,将ITO或IZO以400-500的厚度堆积,运用掩膜的第五光学蚀刻工序制作布线图画,构成榜首及第二像素电极191a、191b、192和触摸辅佐部件82。
图7是依据本发明第二施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图,图8是如图7所示的沿着线VIII-VIII′的薄膜晶体管阵列面板截面图,图9是依据本发明第二施行例的用于液晶显现器的一同电极面板结构布局图,而图10是如图9所示的沿着线X-X′的一同电极面板截面图。
如图7和图8所示,依据本施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板的层状结构基本上与图1及图2所示的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板层状结构相同。即,在基片110上构成包括多个榜首及第二栅极124a、124b的多个栅极线,在其上顺次构成栅极绝缘层140、包括多个杰出部154a、154b的多个条状半导体151、别离包括多个杰出部163的多个条状欧姆触摸部件161及多个岛状欧姆触摸部件165a、165b。在欧姆触摸部件161、165a、165b及栅极绝缘层140上构成包括多个源极173的多个数据线。构成钝化层180和/或多个触摸孔182、185a、185b,在钝化层180上构成多个榜首及第二像素电极190a、190b和多个触摸辅佐部件82。
但是,与图1和图2所示的薄膜晶体管不同的是,在依据本施行例的薄膜晶体管阵列面板上数据线具有两次曲折的形状,榜首及第二存储电极134、135及榜首及第二像素电极190a、190b也具有将像素形状曲折两次的形状。
别的,半导体151除掉薄膜晶体管地点的杰出部154a、154b,基本上与数据线及其下部的欧姆触摸部件161、165a、165b具有相同的平面形状。
当然,如图9及图10所示,依据本施行例的液晶显现器一同电极面板的层状结构大致与图3及图4所示的液晶显现器一同电极面板的层状结构相同。即,在基片110上顺次构成黑阵220、滤色器230、及一同电极270。
但是,与图3及图4所示的一同电极面板不同的是,在依据本施行例的一同电极面板上,黑阵220、滤色器230、一同电极270的折叠部271a、271b及开口部277具有沿像素形状两次曲折的形状。
具有以上结构的薄膜晶体管阵列面板100和一同电极面板200结合,在其间注入液晶构成液晶层,组成依据本发明第二施行例的液晶显现器阵列面板。
别的,尽管依据本发明榜首施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板用五枚掩膜的光学蚀刻工序完结,但依据本发明第二施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板是用四枚运用掩膜的光学蚀刻工序完结。在这种制作办法中,数据线运用感光层图画的光学蚀刻工序构成,这种感光层图画对应薄膜晶体管通道部部分具有比对应于其它数据线及漏极部分薄的厚度。这时,感光层是为了制作半导体151布线图画的蚀刻掩膜,厚的部分运用于制作数据线及漏极布线图画的蚀刻掩膜。
别的,参照附图具体阐明在本发明施行例中像素电极坐落数据线一侧,在薄膜晶体管阵列面板上构成红、绿、蓝的滤色器的状况。
图11是依据本发明第三施行例的用于液晶显现器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图,图12是依据本发明第三施行例的用于液晶显现器的一同电极面板结构布局图,图13是包括沿着线XIII-XIII′的图11所示的薄膜晶体管阵列面板及图12所示的一同电极面板的液晶显现器截面图,而图14是图11所示的沿着线XIV-XIV′的液晶显现器截面图。
首要,参照图11、图13及图14更具体地阐明依据本发明第三施行例的薄膜晶体管阵列面板。
优选地,在绝缘基片110上构成具有突起形状栅极124的栅极线为了与外部电路衔接其宽度呈扩张状。别的,当栅极驱动电路直接在基片上部构成时,经过栅极线结尾部分栅极驱动电路输出端衔接。
在绝缘基片110上构成存储电极线具有菱形或矩形形状,关于存储电极线度歪斜。这是沿着经过栅极线及数据线约束的像素形状规划的。
栅极线由物理化学特性杰出的Cr或Mo合金组成的榜首层211、241、291、311、331和具有低电阻率的Al或Ag或其合金等组成的第二层212、242、292、312、332的两层层构成。这些栅极线依据需要构成为单一层或三重层以上。
在掩盖栅极线上构成由非晶硅等半导体组成的半导体层151及硅化物或重掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅等资料制成的欧姆触摸层161、165。
在欧姆触摸层161、165及栅极绝缘层140上构成数据线。数据线与栅极线穿插约束像素,数据线具有分支的延伸到触摸层163上部的源极173。漏极175与源极173别离,关于栅极124坐落源极173对面的欧姆触摸层165上部。优选地,数据线为了与外部电路衔接扩张宽度。
在这里,好像榜首及第二施行例,数据线构成以像素长度为周期呈现重复曲折的部分和纵向延伸的部分。数据线的纵向延伸的部分与源极173衔接,该部分与栅极线及存储电极线在两个弯取部分之间设置,能够穿过像素中心。
并且,与像素电极190衔接的漏极175部分扩张成较宽的矩形,与存储电极133堆叠。
在数据线上构成由氮化硅等无机绝缘资料组成的榜首钝化层801,在榜首钝化层801上的像素顺次构成红、绿及蓝的滤色器230R、230G、230B。滤色器230R、230G、230B别离沿着由数据线区分的像素列纵向较长延伸,并依据像素形状周期性曲折。并且,滤色器230R、230G、230B的相邻滤色器230R、230G、230B在数据线上彼此部分堆叠,在数据线上构成斜坡。
在滤色器230R、230G、230B上构成由感光性有机资料组成的第二钝化层802。第二钝化层802也跨过由滤色器230R、230G、230B堆叠呈斜坡的一同构成斜坡(hill)。像这样,有机层斜坡调整取向层的歪斜面,起到一种区域约束件效果,强化各区域中的液晶方向控制力。
别的,滤色器230R、230G、230B在栅极175上被除掉,所以显露栅极175的触摸孔185b只贯穿榜首及第二钝化层801、802。并且,在不构成像素的栅极线B。
在第二钝化层802上以沿着像素形状拐弯的条状构成经过触摸孔185b与漏极175衔接的像素电极190。
在钝化层180上构成别离经过触摸孔181b、182b与栅极线及触摸辅佐部件81、82由ITO或IZO组成。
这种结构的液晶显现器除了榜首施行例的长处之外,由于滤色器230R、230G、230B在薄膜晶体管基片上构成,所以具有能够扩展整列赢利并且在一同电极面板200中能够省掉涂层等长处。
在本发明第三施行例中,能够省掉第二钝化层802,但只在运用简直不释放出色素等异物的滤色器230R、230G、230B时可省掉。
综上所述,若曲折数据线构成拐弯状像素,相邻的像素之间的侧方向电场向辅佐构成区域的方向起效果,使区域稳定地构成,将像素分为两个副像素,以数据线为中心两边设置副像素,然后制作工序中即便产生掩膜的搬运、旋转、歪曲等失真,也能够使数据线和像素电极之间的寄生电容误差变得最小,能够避免画面亮度差异的产生。并且,除掉数据线上部一同电极,以在数据线上部构成开口部,削减经过布线传送的信号负载,缩小布线的液晶电容改变量,削减由旁边面穿插杰出的光走漏,能够增大纵横比。若减小布线负载,能够战胜用作数据线的导电资料的挑选及分辨率方面的约束。并且,若削减布线的液晶电容改变量,改善充电率低时最早呈现的从纵向的穿插杰出问题,所以能够改善充电率的约束。依据其它旁边面穿插杰出的光走漏削减和纵横比的增大,能够得到优异画质的液晶显现器。
以上所述仅为本发明的优选施行例罢了,并不用于约束本发明,关于本范畴的技能人员来说,本发明能够有各种更改和改变。凡在本发明的精力和准则之内,所作的任何修正、同等替换、改善等,均应包括在本发明的维护规模之内。
《多区域液晶显现器.pdf》由会员共享,可在线阅览,更多相关《多区域液晶显现器.pdf(34页珍藏版)》请在专利查询网上查找。
本发明供给一种液晶显现器,其包括具有栅极的栅极线、在掩盖栅极线的栅极绝缘层上构成的半导体层、具有在半导体上构成的源极并具有曲折部分和与栅极线直交部分的数据线、在栅极上别离与源极面临的漏极、掩盖显露的半导体层的钝化层、在钝化层上构成并与漏极电衔接,包括与数据线相邻的边际着数据线曲折的像素电极的薄膜晶体管阵列面板和与像素电极面临并包括在对应于数据线的部分具有开口部的一同电极的面临显现面板的液晶显现器。。
专利查询网一切文档均是用户自行上传共享,仅供网友学习沟通,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
2024-March-16
2024-March-16
2024-March-16
2024-March-16
2024-March-16
2024-March-16